節能型IGBT晶體管中頻電源比傳統可控硅中頻電源節能25%-28%,節能關鍵原因有以下多個方面:
逆變電壓高,電流小,線路損耗小,此部分可節能15%-18%,節能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V,而傳統可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V,電流小了近4倍,線路損耗大大降低;
功率因數高,功率因數一直大于0.97,無功損耗小,此部分比可控硅中頻電源節能3%-5% 。因為節能型IGBT晶體管中頻電源采取了半可控整流方法,整流部分不調可控硅導通角,所以整個工作過程功率因數一直大于0.97,無功損耗小。
爐口熱損失少:因為節能型IGBT晶體管中頻電源比相同功率可控硅中頻電源一爐可快20分鐘,20分鐘時間內爐口損失熱量可占整個過程3%,所以此部分比可控硅中頻可節能3%左右。